随着电子科学技术的迅速发展,光导型半导体纳米材料光电功能应用越来越广泛。主要应用于太阳能电池制备、光电探测器、发光二极管和医疗器件中。其中Ⅳ-Ⅵ族化合物,如PbSe、PbS和PbTe是一类窄带隙的半导体。可用于近红外和中红外探测器中。本文通过研究PbSe纳米材料(量子点)制备方法及光电性质,实现光导型探测器件。本文首先通过热注入实验制备PbSe量子点,控制反应温度110℃,130℃,150℃及每个温度下不同的抽取时间10s,20s,40s,55s来制备不同条件下的量子点。然后利用电子透射显微镜,X射线衍射图谱,红外吸收图谱等一些手段来表征分析材料的形貌和物理性质。对比了各个反应温度及反应抽取时间生长出量子点形貌尺寸吸收光谱等性质,选取最佳的合成条件。实验结果表明,在上述各个反应条件下均可以生长出量子点。红外吸收峰值在1420nm左右。其中在150℃,40s抽取生长出来的量子点纯度更高颗粒更密集成核更大,尺寸约为12nm。然后结合PbSe量子点易被氧化的缺陷做出了优化,在PbSe量子点周围包裹CdSe核壳阻止PbSe量子点的氧化。做法是,在PbSe成核之后向溶液中快速注入CdTOP混合溶液。衍射图普及红外吸收表征分析表明,核壳结构使PbSe量子点性质更加稳定。光电响应测试则是通过真空镀膜机,将银单质蒸发成银蒸汽气均匀镀在叉指掩膜版上形成银电极。并且将核壳PbSe量子点涂抹在银电极上,待对于不同的光照强度,记录电极电阻的变化。实验结果表明,在有光照的情况下,量子点的电阻持续降低,即自由电子增多。最后理论分析PbSe光导型纳米材料光电性质的原理。并对光导型红外探测器进行可行性分析,通过理论公式分析探测器性能的计算方法。