随着集成电路生产工艺进入亚波长技术节点,由于设计变得更加复杂,使用分辨率增强技术修复光刻工艺热点变得更加困难。为了解决这个问题,设计者在产品流片前必须对版图设计中的光刻工艺热点进行检测。因此,光刻工艺热点检查成为可制造性设计中的一项重要技术。然而半导体技术节点的不断深入,流片中产生的光刻工艺热点的数量变得越来越庞大,检查速度变得越来越慢。解决上述问题,论文提出了模型优化和局部化光刻工艺热点仿真两种方法,可以有效加速光刻工艺热点的检查。PW简化模型在保证误报率不提升的情形下,可以提升仿真效率30%以上。局部化处理光刻工艺热点检查分为正向筛选与方向过滤。采用热点库方式的正向筛选方法,采用合适的热点图形佳尺寸,可以将光刻工艺热点检查的速度至少提升65%。论文还提出了两种特殊的光刻工艺热点检查方法,分别是改版类型的光刻工艺热点检查与IP固化的光刻工艺热点检查。检查效率的提升依赖于改动或固化区域的大小,区域越小效率越高。工艺热点的查找完成后,设计者必然需要制造者提供光刻工艺热点修复指导。论文中根据光刻工艺热点的类型分类拓展已知光刻工艺热点,接而分批收集收据。最终给出了绕线层次线夹断、线桥接及接触孔不良的最佳修复方案。可以减少修复移动次数至少50%。