外场中一维多势垒结构电导计算

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本论文对GaAs/Ga0.5Al0.5As超晶格在有和无外场作用下的共振传输问题,以及GaAs/Ga0.5Al0.5As超晶格各参数对单位面积电导的影响进行了研究。第一章,系统介绍了半导体超晶格的电子态和在外场中中的研究状况,超晶格量子阱的物理器件及近期发展。第二章,主要介绍了本论文所用的多势垒结构模型,有无外场情况下的透射系数及单位面积电导的理论计算。第三章,我们研究了GaAs/Ga0.5Al0.5As超晶格各参数对电子在有无外场条件下一维多势垒结构中的透射系数的影响。透射系数与入射电子能量曲线中的共振能量对应于势阱中的准束缚能级,同时,共振能量间距即为准束缚能级间的间距。分别阐述了有效质量、势垒宽度、势垒个数与多势垒结构的透射共振之间的关系。及外加偏压对准束缚能级的影响。第四章,计算和分析了在温度T→OK和T>OK的单位面积电导与外加偏压的关系。我们发现温度对电导与偏压的特性曲线基本无影响,只是电导随温度的增大而增大。当势阱宽度一定时,随着势垒宽度的增大,峰值偏压间的间距减小,且电导随势垒宽度的增大而减小。第五章,总结和展望.
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