与其他光电倍增器件相比,雪崩光电二极管(APD)具有量子效率高、探测效率高、结构稳定、覆盖波段广、探测速率快等优点。以APD为基础制备的雪崩器件已经在很多军事以及民用领域中得到了广泛应用。随着第三代红外成像探测器概念的提出,研发具有低噪声、低成本、高灵敏度、高温工作的高性能雪崩器件已经成为第三代红外成像探测器发展的一个主要方向。目前APD面临的主要问题是暗电流较大,对器件的载流子输运以及光增益产生机制均缺乏了解,导致研发成本与周期均居高不下。有鉴于此,本文使用Sentaurus-TCAD成功对铟镓砷以及碲镉汞红外雪崩光电二极管进行了建模仿真,以理论分析为器件的制备提供理论指导与结构优化,旨在降低器件研制经费与时间,提高器件性能。具体研究内容包括:1.通过数值模拟的方法细化分析出了SAGCM InGaAs/InP APD器件暗电流的成分,结果表明SRH暗电流在各偏压范围下始终主导暗电流。对于InGaAs吸收层中复合中心对暗电流的影响的分析显示器件的暗电流特性明显受到复合中心浓度与位置的制约。对于少子寿命和暗电流之间的联系进行了分析,研究结果可用于在实际器件制备与测试中对器件的少子寿命进行估算。2.通过数值模拟的方法对台面结与平面结两种结构的HgCdTe APD综合性能进行了分析,结果表明其暗电流特性极大地受到内建电场的影响。另外通过调整优化倍增区厚度,可以影响到器件的暗电流和增益,应当根据具体的工作需求来选择合适的结构参数。最后对平面结结角处局域电场的分析表明,通过改善工艺来降低结角尖锐程度可以有效降低器件的暗电流。同时对与台面结的分析表明,其暗电流特性极大地受到倍增区掺杂浓度的制约。研究结果可用于指导碲镉汞APD器件结构的设计和优化。