铌酸锂晶体作为一种人工合成材料，具有很多优良特性，如电光效应、声光效应、压电效应、光折变效应等。正是这些效应，使铌酸锂晶体在光折变全息存储、光波导、光通讯器件等方面都有广泛的应用。铌酸锂晶体内部缺陷的复杂性和特殊性，一方面丰富了铌酸锂晶体的光学性质，但另一方面也给铌酸锂晶体在某些方面如倍频等应用产生了负面的影响。虽然铌酸锂晶体的缺陷结构已经经过了几十年的研究，但在很多方面还没有得到一致的结论。当引入外来杂质离子时，铌酸锂晶体还会呈现出很多新的特性。本文在前人的研究基础上，主要研究了名义纯和不同掺锆浓度铌酸锂晶体的紫外光致霍尔效应。本论文主要分以下几个部分：　　 在第一章中，我们综述了本论文的研究背景，光折变效应的物理机制，并对紫外光致吸收和非挥发全息存储进行了阐述，介绍了铌酸锂晶体的缺陷结构模型。　　 在第二章中，我们对铌酸锂晶体的紫外光致霍尔效应的研究现状进行了概述，介绍了几种判断光激发载流子类型的方法。　　 在第三章中，我们研究了同成分名义纯铌酸锂晶体的光致霍尔效应，测量了同成分名义纯铌酸锂晶体在不同的外加磁场条件下，光霍尔电流随辐照光强的变化关系，并根据实验数据计算得到光霍尔载流子的迁移率。　　 在第四章中，我们研究了在外加磁场作用下掺锆铌酸锂晶体的光致霍尔效应，测量了不同掺锆浓度铌酸锂晶体的光霍尔电流随外加磁场强度和辐照光强的变化关系，由此获得了掺锆铌酸锂晶体的光霍尔载流子的迁移率。　　 在第五章中，我们总结了硕士期间的主要工作，并对以后的研究重点和研究方向进行了展望。