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氧化锌(ZnO)是一种典型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有六方纤锌矿结构，室温下的禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，可以实现室温下的激子发射，在紫外波段具有强的自由激子跃迁发光。ZnO具有较好的压电特性、光电特性、化学稳定性和生物适应性，在光电器件、表面声波和压电材料、场发射器件、传感器、紫外激光器、太阳电池及半导体器件等方面均具有广阔的应用前景。而ZnO纳米棒因具有多方面的独特性质，其制备和性质研究备受关注。本文采用脉冲激光沉积(PLD)的方法，在单晶Si(100)衬底上生长了沿c轴高度取向的ZnO薄膜及ZnO纳米棒。通过X射线衍射(XRD)分析、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)的显微结构分析以及光致发光(PL)谱的分析等四个方面入手研究了薄膜生长条件(衬底温度、脉冲重复频率、单脉冲能量、沉积时间)对ZnO薄膜及ZnO纳米棒的晶体结构、形貌和光致发光性质的影响，并作了相应的分析、比较。研究结果表明：衬底温度可以影响薄膜的晶体结构，当衬底温度为500℃生长出绳状和花瓣状的ZnO双层结构薄膜，当衬底温度为600℃生长出结构致密均匀ZnO纳米棒，当衬底温度为700℃生长出光学性能好的ZnO柱状晶连续膜；激光脉冲重复频率、单脉冲能量和沉积时间均可影响样品的晶粒直径；从光致发光谱的分析中，得出ZnO样品均具有强的紫-紫外光发射峰和不同强度的蓝绿光发射峰。本文对ZnO纳米棒所做的研究分析，为ZnO纳米棒的制备工艺及性质的基础研究作了一定的工作。