论文部分内容阅读
薄膜晶体管(TFT)作为薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)和主动式有机电致发光显示(AM-OLED)的核心驱动元件一直被人们深入的研究。与技术成熟的TFT-LCD相比OLED采用电流驱动,固定时间内注入的载流子越多像素点越亮,效果越好。采用垂直结构设计,拥有输出不饱和电流趋势的薄膜晶体管更利于应用在OLED显示中。针对酞菁铅(PbPc)拥有良好的光敏特性设计了以有机物酞菁铅作为有源层的TFT,光经ITO照射到有机半导体材料产生激子,并且在内建肖特基电场的作用下转换成光电流,光电流作为驱动电流使输出电流增加。垂直结构的薄膜晶体管较短的导电沟道长度弥补了有机物载流子迁移率低的缺点,提高了晶体管输出电流。通过多次的PbPc真空镀膜获得有机物达到最佳膜厚的温度及时间;并利用射频溅射法溅射氧化铟锡(ITO)薄膜以得到最佳性质的ITO薄膜。制备有机PbPc垂直结构薄膜晶体管,结构为Cu/PbPc/AI/PbPc/ITO的三明治结构。A1与PbPc形成肖特基接触,Cu/ITO与PbPc形成欧姆接触。利用半导体测试仪对不同有源层厚度的PbPc薄膜晶体管进行测试,工作电流可高达几十微安,其中有源层厚度为40nm时,器件性能较好。整理薄膜晶体管在全波带白光和800nm单色光的照射下的电学特性,光照下的输出电流,转移特性曲线,及有无光照下的电流放大比。在Vce为3V时,全波带白光下放大比在5.23-5.86之间变化,800nm光波下放大比在2.91-3.34之间变化。无光照下放大倍数β为20.23,全波带白光光电流IL为0.910μA,是基极电流的1.59倍,同样800nm单色光光电流IL为0.485μuA,是基极电流的1.30倍;器件的白光放大系数βL为86.87,800nm单色光光放大系数βL为61.42;敏感度分别为 0.1845A/W 及 0.1968A/W。