经济的快速发展带来的环境污染问题已成为人们渴望碧海蓝天所亟待解决的问题之一。半导体光催化剂因其在处理有机污染废水中的优势,逐步成为科学工作者们研究的热点。其中铋基半导体可见光催化材料如BiVO₄等由于带隙较窄,耐腐蚀等长处在这个领域有光明的应用前途,但其光生电子及空穴分离效率低的不足限制了这些光催化材料的进一步应用。故本文对铋基光催化剂进行改性以抑制其光生载流子的复合,提高其催化活性。由于铋基光催化材料的氧化物、硫化物以及盐类都是较好的光催化剂,但由于Bi₂S₃的光催化性能不高等缺点,因此,我们在对BiVO₄进行掺杂改性研究之后,对另一铋基光催化剂Bi₂S₃进行了改性研究。论文首先采用水热法制备出了单一BiVO₄和Zn掺杂BiVO₄光催化材料,用XRD,SEM,UV-vis DRS,PL,XPS等测试手段对材料的结构和性质进行了表征,用氙灯为光源、罗丹明B（RhB）为模拟污染物研究了所制备样品的光催化活性。研究结果表明,单一BiVO₄在光照射120 min后,对RhB的降解效果较差,仅为约20%,而掺杂量为2.5%Zn/BiVO₄的样品催化RhB的光降解性能,在模拟太阳光照射90min时,催化RhB的降解率为96%。活性自由基的捕获研究结果说明,Zn掺杂BiVO₄光催化降解罗丹明B的主要活性物种为·O₂^-。2.5%Zn/BiVO₄的光催化性能得以提高是由于掺杂使BiVO₄由单一晶型变为混合晶型,同种物质的不同晶型之间形成了异质结,促使光生载流子快速分离。论文还以水热法合成的金属有机框架（MOF）为前驱体,以S粉作为硫源,在管式炉中煅烧前驱体和硫粉之后得到Bi₂S₃-Bi和Bi₂S₃-C材料,研究了所制备的材料在光的照射下催化亚甲基蓝（MB）的光降解效率,光催化实验结果表明,Bi₂S₃-Bi和Bi₂S₃-C样品在120 min内催化亚甲基蓝的降解效果分别为70%和95.7%,考察了样品的光电性能,瞬态光生电流测试结果表明,在模拟太阳光的照射下,光生电流明显增大,交流阻抗测试表明在光的照射下阻抗有所减小,即光照下的确可以抑制电荷复合。从而说明了所制备的光催化材料具备良好的光电性质。