气敏传感器可以检测环境中的特定气体,在易燃、易爆、有毒、有害气体的检测中应用非常广泛。气敏材料对气敏传感器的性能有着至关重要的影响,在众多气敏传感器中,金属氧化物半导体气敏传感器因其气敏材料制备简单、绿色环保、气敏性能优异等优点受到国内外研究者的高度关注。ZnSnO3是一种具有钙钛矿结构的三元复合金属氧化物半导体,它兼具Zn O和Sn O2两种材料的特点,表现出优异的气敏性能。但与许多二元金属氧化物半导体材料一样,ZnSnO3气敏传感器需工作在200℃以上才能实现良好的气敏性能,在较低温度下的气敏性能相对较差,这严重限制了它在危险气体方面的应用。针对上述问题,本文采取以下措施改善ZnSnO3在低温下的气敏性能:首先,在有机功能添加剂三乙醇胺（Triethanolamine,TEOA）的作用下,用共沉淀法制备出具有高比表面积的纳米球-花状混合型ZnSnO3颗粒;然后,通过Mg掺杂ZnSnO3提升ZnSnO3的气敏活性;最后,引入紫外光敏材料nano-TiO2修饰ZnSnO3,形成异质结,在紫外光的辅助照射下,降低了ZnSnO3的最佳工作温度。气敏测试表明,当Mg与Zn的摩尔比为1:9、TiO2的修饰量为10 wt%时,所制备的TiO2/Zn0.9Mg0.1Sn O3复合物具有最佳的气敏性能:在紫外光（5 W,365 nm）照射下,该气敏材料对500 ppm乙醇气体的响应值高达149.81,此时对应的工作温度为80℃。相关机理研究认为Mg能提高ZnSnO3气敏性能的原因是:Mg的弱电负性改变了ZnSnO3中Zn、Sn原子对氧气和氧负离子的化学吸附和解吸,提高了气敏材料的活性,从而增大了气敏响应;此外,紫外光敏材料TiO2与ZnSnO3在界面处形成异质结,在紫外光照射下,能够增加ZnSnO3导带的电子数,有利于更多氧负离子的产生和气敏反应的发生,从而降低ZnSnO3气敏工作温度。综上,本文制备了纳米球-花状混合型ZnSnO3,通过Mg掺杂、紫外光敏材料TiO2修饰不仅降低了其工作温度,而且还提高了其气敏性能。以上特殊形貌ZnSnO3的制备及气敏性能提高所采取的方法为高性能气敏感器的研究提供了新思路。