绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是非常重要的一类电力电子器件，能很好应用于多种领域。我国对IGBT的需求量很大且增长迅速，但国内IGBT的研究起步较晚，虽然最近几年取得了一些重大突破，但是产品仍然存在品种单一、可靠性不足的缺点，因此对IGBT的研究意义十分重大。本文首先介绍了IGBT基本原理和三大特性（阻断特性、导通特性、开关特性），然后以提高IGBT的抗闩锁能力为目标，分析IGBT闩锁的原理，介绍了多种常见的抗闩锁设计，提出了一种具有二氧化硅阻挡层的新型抗闩锁IGBT。新型IGBT原理是在P-base下方引入一段“L”形的二氧化硅，来限制空穴电流的流动，提高IGBT的抗闩锁能力。以600V电压为例，对这种新型IGBT的内部元胞参数和二氧化硅阻挡层参数，分别进行了理论分析和仿真优化，仿真结果表明新型IGBT的抗闩锁能力大大优于传统IGBT。文中最后还对新型IGBT的工艺步骤进行了设计，提出了一种可行的生产方法。由于受限于国内加工条件，该结构的后续工作主要是针对国内生产线的特点，找到更适合加工的制作方法，并进行流片。