纳米SiC薄膜的发光与多孔SiO<,2>：F薄膜介电特性研究

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【摘要】

：

碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度大等优越特性,使其在蓝绿色发光二极管、紫外光电探测器、大功率和高温电子器件等方面倍受青睐。SiC是间接带隙半导体,提高SiC的发光效率和探讨它的发光机理是目前人们正在极力解决的问题。就以上两个问题,本工作分别制备了SiC颗粒膜和埋入SiO_2的SiC纳米颗粒复合薄膜。1.利用射频溅射在多孔玻璃衬底上沉积了SiC颗粒膜。分析测试结

【作者】

：

张金娟

【机构】

：

河北师范大学

【发表日期】

：

2008年04期

【关键词】

：

SiC/SiO2纳米复合薄膜光致发光漏电流密度纳米多孔 SiO2:F 低介电常数

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