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ZnO是一种理想的短波长LED材料,而一维ZnO纳米材料由于其特殊的物理化学性质,引起了研究者的广泛关注。本论文中,我们采用步骤简单的制备方法,制备出能够应用在电致发光器件中的ZnO纳米棒阵列。利用ZnO纳米棒制备出了以ZnO为发光层,ZnO纳米棒/有机材料异质结电致发光器件。另外在固态阴极射线发光的研究中,利用ZnO纳米棒来提高初电子来源进行了初步的尝试。首先,我们将采用两步法,通过控制生长时间,在透明导电玻璃上制备出了适合在发光器件中应用的有序ZnO纳米棒阵列薄膜。SEM表征说明纳米棒基本垂直衬底生长,棒呈六方柱状,直径约35 nm,长度130 nm左右。XRD表征说明ZnO纳米棒为纤锌矿结构,具有沿c轴的取向性;从吸收光谱ABS来看,所制备的样品存在较强的紫外吸收,并在368 nm处有一明显的吸收峰;光致发光光谱在350 nm的激发光的激发下,得到了中心波长位于387 nm的紫外发光峰,说明所制备的ZnO具有较高的质量。紫外LED器件一直是人们研究的热点。本文利用ZnO纳米棒与不同的有机半导体材料构成纳米材料与有机材料的复合体系,制备的器件结构为:ITO/ZnO(60nm)/ZnO纳米棒/有机材料/Al,并得到了380 nm的ZnO紫外电致发光。其中器件ITO/ZnO(60 nm)/ZnO纳米棒/MEH-PPV/Al的电致发光光谱为以380 nm的ZnO紫外电致发光为主的器件。通过研究器件的发光过程,分析了不同电压下对紫外发光峰和背景光的影响原因。固态阴极射线发光是一种崭新的产生发光的方式,发光的激发能量来源是固体中的加速电子的动能。初电子来源是限制固态阴极射线器件亮度提高的一个重要因素,ZnO纳米棒拥有良好的电子传输能力和场发射能力。本文对利用ZnO纳米棒来提高初电子来源进行了初步的尝试。