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在有效质量近似下，运用变分法研究了外电场和压力作用下半导体球形量子点GaN/AlxGa1-xN的子带线性和非线性光吸收系数及其压力效应，且获得了基态和第一激发态的波函数和能级。数值计算了吸收系数随电场、组分、量子点尺寸以及光强的变化关系，以及压力对半导体球形量子点的线性和非线性吸收系数的影响。结果表明:随电场强度和量子点尺寸的增加，总吸收系数曲线峰值的位置向长波方向移动，总吸收系数曲线峰值降低；随着Al组分的增加吸收峰发生蓝移，总吸收系数峰值升高；总吸收系数随着光强的增加吸收峰值降低；随着压力的增加，总吸收系数随压力和量子点尺寸的增加吸收峰值降低，压力效应是明显的。