提高太阳电池对光的利用率是改善太阳电池效率的重要手段之一。对于硅(Si)晶体太阳电池来说，常常采用的方法是刻蚀金字塔绒面陷光结构，Si基薄膜电池常常采用绒面背反提高光的二次吸收。纳米结构作为新的陷光结构吸引越来越多的关注。本文采用直流磁控溅射法制备AZO薄膜作为种子层，用水热法在玻璃衬底上制备一维氧化锌(ZnO)纳米柱阵列，通过醋酸腐蚀种子层的方法达到了控制纳米柱阵列密度的效果。同时本文在N型直拉Si的传统金字塔绒面结构上引入一维ZnO纳米结构，采用醋酸锌(Zn(Ac)2)的乙醇溶液做种子液，用浸沾法制备的ZnO颗粒作为种子层，探索了溶液浸沾法中Zn(Ac)2种子液浓度、退火温度对ZnO纳米结构的影响；采用Zn(NO3)2/HMT做生长液制备ZnO纳米结构，研究了Zn(NO3)2/HMT体系生长ZnO纳米柱阵列过程中生长温度、生长时间、生长液浓度以及1-3丙二胺(DAP)对ZnO纳米结构形貌和光学性能的影响。将玻璃衬底上制备的ZnO纳米结构应用在单结微晶硅薄膜电池中，短路电流达17.98mA/cm2，高于平面单结微晶硅太阳电池的16.76mA/cm2。将制绒Si衬底上制备的ZnO纳米结构应用在带本征薄层异质结（HIT）太阳电池中，结果表明，纳米柱和纳米锥陷光结构的HIT电池的短路电流分别高达32.30mA/cm2和33.78mA/cm2，明显高于传统金字塔陷光结构的HIT电池的短路电流30.37mA/cm2。