本文主要研究了柔性p沟道低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)在重复弯曲和拉伸应力下的机械应力可靠性。受到反复弯曲和拉伸应力后,它们的退化现象基本相同,阈值电压向正方向移动,亚阈值区基本上没有变化。机械应力过程中会使得多晶硅层产生电子,从而使得阈值电压发生变化。弯曲频率越快和施加拉力越大都会加速器件退化。部分器件在机械应力过程中发生损坏,损坏原因一般是金属线或栅绝缘层和沟道层的断裂造成器件失效。损坏位置一般位于两种材料的界面处,ANSYS仿真发现该位置有一个应力突变,使得器件容易在此位置损坏。提醒我们可以在器件的上方加上应力缓冲层来改善这种情况。随后,本文还研究了在负栅偏压温度应力下(NBTS)的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的退化研究。在NBTS下,器件的阈值电压会负向移动,并伴有亚阈值摆幅的退化,这是由于a-IGZO中的离子化的氧空位在电场的作用下发生移动,并在界面处发生积累造成的。此外我们发现拉伸指数模型可以很好的拟合阈值电压的变化量。通过提取模型中参数发现,提取的有效能量势垒E?的为0.74?0.3eV,它代表离子化的氧空位移动到IGZO和二氧化硅界面所需要的平均能量。