论文部分内容阅读
界面耦合强度对Co/Ni双层膜磁性影响的研究
【机 构】
：
燕山大学
【出 处】
：
燕山大学
【发表日期】
：
2018年期
其他文献
由于纳米材料独特的物理、化学性质,在催化、滤光、光吸收、医药、磁存储介质等方面有广阔的应用前景。有关纳米材料制备工艺的研究,是该领域的研究热点。模板辅助电化学沉积
近年来,ZnO和ZnS等宽禁带一维半导体纳米线的研究成为国际上的研究热点之一。ZnO和ZnS一维半导体纳米线具有宽直接带隙、高激子束缚能等性质,在紫外发光器件和光电探测器件等方面有良好的应用前景,在纳米激光器、生物传感器和光催化等领域也引起了广泛的关注。随着ZnO、ZnS等一维纳米材料的研究不断深入,但ZnO、ZnS纳米线及纳米阵列的可控制备问题依然没有得到解决。可控制备ZnO、ZnS一维纳米材料
HBT(Hanbury-Brown-Twiss)强度干涉学是高能重离子碰撞研究领域的一种重要且有效的工具，利用HBT强度干涉学能获得许多有关源的时空信息。混沌性参量是人为引入的一个用以描述