氮化镓高电子迁移率场效应管(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor,简称GaN HEMT)做为新一代宽禁带半导体器件的代表之一,近年来逐渐成为电力电子器件的研究热点。特别是作为功率半导体器件,GaN HEMT的可靠性问题一直是研究者关注的重点。主要研究内容如下:本论文对功率GaN HEMT器件在高电压大电流的功率循环条件下的老化情况和机理进行了研究。并做了以下几方面的工作:第一:针对增强型功率GaN HEMT器件开关速度快,栅正常工作电压范围窄、抗干扰能力差的特点,设计了一款开关特性测试电路,为功率循环老化实验提供电路支持。开关特性测试电路设计的重点是降低寄生电感。主要方法包括:1、保证栅驱动输出与器件源电极之间的距离非常紧凑,以减小栅源回路寄生电感,降低栅极干扰;2、尽量减小主回路的面积,减小主回路寄生电感,尽量减小开关过程的振荡。第二:对三款GaN HEMT器件进行了时长为一周的功率循环老化实验,定时测试器件输出特性曲线、阈值电压、漏源泄漏电流等静态参数,明确各参数的退化规律。第三:改变栅极驱动信号的频率和占空比,对三款GaN HEMT器件进行了第二次和第三次时长为7天的功率循环老化实验,将测得参数的退化结果与第一次老化实验的参数退化结果进行对比,明确栅极驱动信号的频率和占空比对GaN HEMT器件老化程度的影响。第四:总结GaN HEMT器件在三次功率循环老化实验中各参数的退化数据并进行定量分析,得到GaN HEMT器件的一些参数的退化趋势及退化速率,以及栅极驱动信号频率和占空比对老化结果影响大小的对比。