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采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备Sb掺杂Sn_2S_3薄膜。在氮气保护下对薄膜进行不同条件的热处理,获得性能良好的正交晶系Sn_2S_3多晶薄膜。研究Sb掺杂含量及不同热处理条件对Sn_2S_3薄膜的物相结构及光电特性的影响。XRD分析显示:采用Sn:S混合粉末比例为1:1.2(at%)制备出的薄膜,经T=380℃、400℃、430℃,t=40min热处理都可获得正交结构的Sn_2S_3薄膜,最佳热处理条件为380℃处理40min,相应的平均晶粒尺寸约为76.71nm。在相同温