在智能电网的发展中,安全是电网运行的重要前提。但电力来源比较复杂,除了常规的水电、火电外,大规模的新能源接入到了电网中。正由于电力来源的多样化,给电网的安全、平稳运行带来严峻挑战。要将这些来源复杂、大小不均的“粗电”变为均匀、平稳、安全的“精电”,需要IGBT这种半导体装置发挥调节作用,且其功率越大,能够承受的电压区间也就越广,调控能力随之增强,电网安全性能因此也会越高。在此背景下,研发大功率压接式IGBT成为了电网发展的当务之急。而为了保证压接式IGBT的可靠性,必须考虑到其内部各芯片的电流均衡情况。由于续流二极管的反向恢复特性,压接式IGBT的开通过程中极易出现电流过冲。若再加上内部芯片电流不均衡,必然会使得某一芯片电流过大而烧毁,影响了器件和系统的可靠性。因此本文对大功率压接式IGBT内部芯片的电流均衡进行了一系列研究:1.分析了压接式IGBT的结构、工作原理及基本特性。2.将影响器件内部芯片均流的因素分为两类,并通过理论分析和仿真相结合,分析了各个参数变化对电流分布的影响情况。最终给出了将芯片的电流不均衡度限制在10%以内时,各参数的范围。3.提出了4种芯片电流均衡的方案,分别为降额法、栅极电阻补偿法、多个参数匹配调节法、布局优化。最后以3300V/1500A的压接式IGBT器件为例,详细分析了内部芯片电流分布的特点,并提出相应的改进方案。