SnO2是一种灵敏度较高的半导体金属氧化物气敏材料，在工业上得到了广泛应用，对它的研究一直以来持续而深入发展。近些年来，随着研究的深入，纳米SnO2的合成和气敏性能的研究逐渐成为研究SnO2的热门领域。然而，多集中于三维纳米级的制备，SnO2纳米线的制备也有较多的文献报道，但所用方法存在能耗高，不易大量生产等问题。因此，探索一种成本低、能耗小、设备简单、适合规模化生产的SnO2纳米线新合成方法不仅具有理论意义，而且具有很高的潜在应用价值。本文以SnC2O4为锡源、乙二醇为反应溶剂，采用有机溶剂合成法，制取SnO2纳米线，重点分析了影响SnO2形貌的因素，总结了利用该法制备SnO2纳米线的最理想条件，达到控制SnO2形貌的目的。并对SnO2纳米线的合成机理以及气敏性能做了简要的分析。具体内容如下：（1）分析反应温度对SnO2形貌的影响，确定了SnO2一维纳米材料形成的反应温度区间为140-177℃，在该温度区间内，产物的直径尺寸与反应温度呈负相关性；分析反应时间对产物形貌的影响，发现反应时间在0-3h内，纳米线的量随着时间的增长而增多、直径尺寸变大，当反应时间为3h时，纳米线的量逐渐趋于稳定；分析表面活性剂对产物形貌的影响，选择了SDS、CATB以及PVP三种表面活性剂，通过分析发现，添加表面活性剂PVP得到的产物形貌更均一，尺寸更小，并且当PVP量在0-0.5g范围内时，产物的直径会随着其量的增加而减小；分析搅拌速度对产物形貌的影响，发现搅拌速度较低时易生成形貌较好的SnO2纳米线。（2）本文通过SEM、TEM、XRD、FT-IR、TGA等表征手段对产物的合成机理进行了分析。结果表明：醇锡盐的低聚合成反应为本实验的关键步骤，该步骤可描述为：SnC2O4中的草酸根逐渐被乙二醇单元取代，形成了Sn—O—共价键以及Sn OH配位键。随着反应的继续进行，醇锡盐经过一系列聚合反应，最终形成长链结构。通过分子间的相互作用力，该结构会继续自我组合，最终形成SnO2纳米线先驱体结构。经高温煅烧以后，其有机集团会消失，形成具有独特孔隙网的纳米线结构。（3）本文得出的最佳反应条件为：反应温度175℃、反应时间3h、PVP质量0.5g、搅拌速度500r/min。在该条件下制备的SnO2纳米线的形貌均一，其直径范围为35-50nm，长度约为2μm。（4）本文考察了工作温度、SnO2形貌、乙醇浓度对敏感材料的气敏性能的影响，并对SnO2纳米线气敏元件的响应-恢复时间进行了分析。与纳米棒和颗粒结构比较，SnO2纳米线制备的气敏元件具有很高的灵敏度，对1000ppm的乙醇气体的灵敏度为89，而相对应的纳米棒结构为42、颗粒结构为21。分析其原因在于，SnO2纳米线的晶格尺寸很小，比表面积大，并且在SnO2纳米线材料表面及内部有大量孔隙结构，其相互连通，构成孔隙网，该结构能使待测气体快速被吸附在SnO2纳米粒子的所有表面上。