【摘 要】
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多晶硅虽然含硅量少、制作成本低廉,但其表面反射率高达30%左右,在经过HF/HNO3混合液酸制绒和沉积氮化硅减反膜后的表面反射率仍然高达22%左右,表面反射率高和短波响应差是制约多晶硅太阳能电池效率提升的主要因素。本文利用等离子体浸没离子注入(Plasma immersion ion implantation)系统在多晶硅衬底上制备了具有织构化表面的“黑硅”——由于肉眼观察硅片表面成黑色而命名。在
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多晶硅虽然含硅量少、制作成本低廉,但其表面反射率高达30%左右,在经过HF/HNO3混合液酸制绒和沉积氮化硅减反膜后的表面反射率仍然高达22%左右,表面反射率高和短波响应差是制约多晶硅太阳能电池效率提升的主要因素。本文利用等离子体浸没离子注入(Plasma immersion ion implantation)系统在多晶硅衬底上制备了具有织构化表面的“黑硅”——由于肉眼观察硅片表面成黑色而命名。在该衬底上制备的黑硅太阳能电池能够有效改善常规酸制绒太阳能电池反射率高和短波效应差的缺点。本文所做工作围绕
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