在集成电路发展到如今辉煌的时代背后,是长年指导行业发展前景的摩尔定律逐步走向了困境。随着晶体管的尺寸不断缩小与厚度不断减薄,硅材料本身逼近了自身的物理极限。因此,科学家们渴望通过引入包括二维材料在内的新材料,来解决这一难题。二硫化钼因其特殊性质而备受关注,而大规模使用二硫化钼就需要对制备方法深入研究。本文作者在已有工作的基础上加以改进,,提出了用载气精准控制单层二硫化钼生长的想法,并设计出了配套工艺,最终得到了单层的二硫化钼,通过多种表征手段,对所得样品进行详细研究,具体内容如下:第一章简要介绍了研究二维材料的需要,二硫化钼的特殊性质,制备二硫化钼的几种方法,并对二硫化钼的应用方向进行了综述。第二章是用氧气作为载气控制单层二硫化钼的生长的技术内容。首先,阐述了用氧气作为载气控制单层二硫化钼的生长原理。其次,结合该生长原理,设计了对应的生长装置,并结合生长装置,详细地讲述了所要做的生长前的准备和整套生长流程。然后通过光学显微镜对样品的晶粒尺寸、原子力显微镜对样品的表面形貌以及通过综合光学平台里的PL和拉曼光谱仪对样品的光学特性和均一性做了表征。第三章是用水蒸气作为载气控制单层二硫化钼的生长的技术内容。首先,阐述了用水蒸气作为载气控制单层二硫化钼的生长原理。其次,结合该生长原理,设计了对应的生长装置,并结合生长装置,详细地讲述了所要做的生长前的准备和整套生长流程。然后通过光学显微镜对样品的晶粒尺寸、原子力显微镜对样品的表面形貌以及通过综合光学平台里的PL和拉曼光谱仪对样品的光学特性和均一性做了表征。第四章是对全文的一些总结,并对论文中的实验接下来的后续做了一些延伸性的展望。