随着半导体技术的飞速发展,传统工艺和器件展现出越来越多的缺陷与不足,故探索新材料、制备新结构成了当前半导体领域的热点。二维材料由于其量子尺寸效应,在各方面如光学、电学、力学等展现出许多优异且独特的性质,在光电领域具有比传统三维材料更广泛的应用前景。和石墨烯与二维过渡金属硫族化合物经典的二维材料相比,二维黑磷（BP）具有高的载流子迁移率,不依赖于层数的直接带隙以及出色的面内各向异性特性,在实际应用中展现出良好的光电性质,受到科学家们的广泛关注。钙钛矿ABO3型化合物因其独特的介电,压电,铁电特性而受到了广泛的研究,并已广泛应用于现代光学,电子,能量存储和转换领域。LaGaO3作为一种具有P型性质的钙钛矿材料,也是制备P型金属氧化物薄膜晶体管的潜在材料之一。LiNbO3是一种具有钙钛矿结构的具有铁电性的金属氧化物材料,也是一种广为人知的用于光波导,光调制器,在光电领域有着广泛的应用。在本论文中,我们提出将钙钛矿铁电薄膜LiNbO3（LN）与多层黑磷薄膜（BP）集成,结果展现了LN产生的强局域电场通过斯塔克效应可以有效的调控多层BP薄膜的中红外发光峰位向更长的红外波段延伸,并证明了LN的铁电域可以显著的同时抑制其光致发光（PL）强度。该工作首次实现了无需外加电场下,直接实现对黑磷的中红外发光的调制。另外基于钙钛矿结构金属氧化物半导体薄膜晶体管（TFTs）广泛的应用在半导体显示器件中,到目前为止,对于TFT的研究中,由于合适的P型材料较少,加上其苛刻的制备条件,使得P型金属氧化物TFT的发展停滞不前。我们还通过溶胶凝胶法制备了钙钛矿结构金属氧化物LaGaO3薄膜,并集成了P型钙钛矿LaGaO3器件,证实了该薄膜应用于透明电子的可能性。