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本文研究了低成本可调谐分布反馈半导体激光器及阵列。首先介绍了可调谐半导体激光器的应用、研究意义及国内外研究现状。而后介绍重构等效啁啾技术以及采样布拉格光栅的制作方法。论文中研究具有抑制烧孔效应的温度调谐双辅助相移-周期调制分布反馈半导体激光器及其阵列。利用传输矩阵算法数值仿真了沿腔光场分布、激射光谱等。仿真结果表明:基于双辅助相移-周期调制结构的沿腔光场分布比周期调制结构的沿腔光场分布更加平坦。实验制作了单个基于双辅助相移-周期调制的分布反馈半导体激光器,结果表明双辅助相移-周期调制结构具有抑制了空间烧孔效应。最后研究了双辅助相移-周期调制半导体激光器阵列,从阵列中得到了通道间隔100 GHz的32个通道,波长调谐范围从1546.12 nm到1570.83 nm。接着研究基于电控相移的可调谐分布反馈半导体激光器及阵列。首先数值仿真透射谱、沿腔光场分布、激射光谱等。而后分析基于电控相移的可调谐分布反馈半导体激光器的实验结果,实验结果表明:在改变注入电流时,在激光器中引入了可控的相移。最后研究基于电控相移的可调谐分布反馈半导体激光器阵列,得到了通道间隔50 GHz的63个通道。波长调谐范围从1542.54 nm到1567.54 nm。再而研究基于λ/4相移的可调谐分布反馈半导体激光器及阵列。首先分析单个基于λ/4相移的可调谐分布反馈半导体激光器的实验结果,实验结果表明:在光栅中有λ/4相移的基础上,激光器保持优良的单模特性。在注入电流从20 mA增加到110 mA时,波长调谐范围是1.34 nm。然后研究基于λ/4相移的可调谐分布反馈半导体激光器阵列,得到了通道间隔50 GHz的40个通道。波长调谐范围从 1551.32 nm 到 1567.54 nm。最后研究基于半导体光放大器的三段串联式可调谐分布反馈半导体激光器阵列。首先,对该激光器进行了数值仿真,并通过优化设计,减少相邻激光器之间的相互干扰。在20℃时,每个激光器在注入电流从30 mA增加到170 mA时,每个激光器可以调谐的范围是3.4 nm到3.6 nm,边模抑制比超过35 dB。波长切换速度是10 ms到30 ms。而后研究基于半导体光放大器的三段串联式可调谐分布反馈半导体激光器阵列,得到了通道间隔50 GHz的23个通道。波长调谐范围从 1554.14 nm 到 1563.05 nm。这些结果可能有助于在未来实现低成本可调谐半导体激光器及阵列。