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ZnS是一种Ⅱ-Ⅵ族非常重要的直接带隙半导体,其禁带宽度为3.6-3.8eV,作为一种应用广泛的宽禁带n型半导体化合物,ZnS主要用作于发光、气敏和光学材料,如光致发光、电致发光、磷光体、传感器和红外窗口等,而目前对于其光催化性能研究比较少。本文根据目前ZnS光催化剂的研究现状,通过溶剂热法、沉淀-煅烧法等分别制备了一系列Al3+掺杂ZnS和WO3/ZnS等复合光催化剂。利用N2物理吸附(BET)、扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见漫反射光谱(UV-vis DRS)和光致发光