表面织构化的多晶硅片减少了光在太阳电池表面反射损失。多晶硅经过一定表面处理后，其表面呈现凹凸不平的孔洞状表面形态，进而可使可见光在多晶硅表面形成多次的反射，降低表面反射率，增加光的吸收，提高光的转化效率。本文在传统化学酸腐蚀多晶硅工艺的基础上，分别提出采用电化学预腐蚀法和光学掩膜法与化学酸腐蚀工艺结合制备多晶硅绒面，用于提高多晶硅太阳能电池光电转换效率。1)采用HF/HNO₃混合溶液体系对多晶硅片表面进行腐蚀，通过改变溶液组成、配比、腐蚀反应时间以及腐蚀反应温度等工艺，探讨化学酸腐蚀法制备多晶硅绒面的影响因素，通过对比腐蚀前后绒面的表面形貌与反射率，得到化学酸腐蚀法较为适合的工艺参数如下：腐蚀液组成及配比为HF:HNO3:H₂O:CH₃COOH=1:6:3:1（体积比）；腐蚀时间为300s；腐蚀温度为5℃。制得多晶硅绒面，在波长为400¹100nm范围内，平均反射率为18.7%。2)提出利用“二次腐蚀法”制备多晶硅绒面。首先在H_F:CH₃CH₂OH=1:2（体积比）腐蚀溶液中对硅片表面进行电化学预腐蚀，然后采用化学酸腐蚀法进行二次腐蚀，去除多晶硅表面疏松结构，制得高性能的多晶硅绒面。采用扫描电子显微镜观察多晶硅表面腐蚀形貌，具体研究不同电流密度对腐蚀表面的影响，实验结果表明：当电流密度为30mA/cm2、腐蚀时间为300s时，多晶硅表面形成孔洞状的疏松结构；预腐蚀多晶硅片在HF:H₂O₂=4:1化学腐蚀溶液中，在15℃超声波条件下腐蚀60s后，得到较好的绒面，腐蚀坑孔径为2³μm，坑深为1.5³μm，制得多晶硅绒面，在波长为400¹100nm范围内，平均反射率为16.4%。3)为提高制备的多晶硅绒面均匀性，尝试利用光学掩膜技术及化学刻蚀技术来制备多晶硅织构化表面。首先利用光刻技术，将掩膜板上的图案通过曝光显影转移到多晶硅表面的正性光刻胶上，再采用化学酸腐蚀工艺对多晶硅片进行刻蚀。得到制备均匀多晶硅绒面，较为适合的工艺参数如下：曝光时间为9s；显影时间为30s；刻蚀液配方为：HF:H_NO3:H₂O:CH₃COOH=1:6:3:1，酸腐蚀时间为90s。制得多晶硅绒面，在波长为400¹100nm范围内，平均反射率为11.0%。通过一系列实验发现：化学酸腐蚀法可制得符合太阳能电池后续制作工艺要求的多晶硅绒面，降低可见光反射率，但化学酸腐蚀反应可控性、稳定性及绒面形貌均匀性都有待提高。本文结合电化学、光刻及化学酸腐蚀技术特点，探索多晶硅制绒工艺，减少化学酸腐蚀时间，提高多晶硅绒面可控性和均匀性。