受益于消费电子产品的需求及设备等的普及,Flash闪存已取代RAM(随机存储器)成为存储器家族中最主要的力量,三星、英特尔、Spansion等半导体厂商也成为最大的受益者为了提高竞争力,各大半导体厂商都会尽一切努力进行新技术的研发,开发出高速度、大容量、高可靠性以及低功耗、低成本的产品成为各个厂商的共同目标。而各个厂家在市场的占有程度,决定与各自的综合势力的竞争性。如何拥有、保持市场的竞争力是每一个半导体生产厂家所不可避免的问题与挑战。除了产品的更新换代的节奏加快之外,如何降低成本、减小损耗与不良品也同样是很重要的一个方面。在款式的新颖、功能的多样化之外,产品的可靠性与稳定性是一般用户的首选点。所以,闪存的高、低温时的使用与工作情况同样是不可避免的面临考验与挑战。本课题主要针对NOR闪存在低温下的工作情况进行研究讨论,通过对产品在低温、低工作电压下闪存进行可靠性测试分析,通过完成失效的产品的实验数据收集分析和处理,发掘闪存的失效机理,研究并寻求解决闪存的故障的预防和解决方法,通过测试的时延来解决测试程序时钟的误判的问题,为提高产品的产量及降低不良品做出努力。文章在分析了失效的原理,同时对失效的原理与模式予以验证从而制定出相应的预防和纠正措施,对于器件的工作测试原理有了更深层次的理解;为此后新产品的测试方法与实践提供了参考依据和新思路,对今后的NOR闪存电路的研发有一定的参考意义。