一维纳米材料具有许多独特的物理、化学性质,由于它们在介观物理以及纳米器件的制造等方面有着广泛的应用,因此近年来成为一个热门的研究领域。在本论文中,我们通过物理气相沉积法制备了ZnO和ZnS这几种半导体材料的纳米线或纳米带,以及与之相关的一些纳米分支结构或异质结构,并研究了它们的形貌、结构和生长机制。本文的主要内容如下：(1)SnO2纳米带的制备、结构表征,对SnO2纳米带掺杂Mn和Co的探索。以SnO2为原料,通过热蒸发的方法在Si衬底上合成了大量SnO2纳米带。SnO2纳米带的长度为几十至上百微米,宽度为50-450nm。另外,我们在原料中加入适量MnO2或Co3O4,以期望在Sn02纳米带中掺入Mn或Co元素,但最终没有成功。(2)ZnO纳米线、六角对称的分级ZnO纳米结构阵列和SnO2/ZnO分支结构的制备、结构表征和生长机制。在大气压下,以ZnO为原料,通过热蒸发的方法在Si衬底上合成了大量ZnO纳米线。ZnO纳米线的长度为5-10μm,宽度为80-280nm。在真空条件下,用类似的条件很容易得到ZnO纳米线阵列。ZnO纳米线的生长模式可以用VLS机制来解释。另外,我们用两步气相沉积的方法制备出六角对称的分级ZnO纳米结构阵列和SnO2/ZnO分支结构。(3)ZnS纳米带和ZnS/C核壳结构的制备、结构表征和生长机制。以ZnS为原料,通过热蒸发的方法在Si衬底上合成了大量ZnS纳米带。ZnS纳米带的长度超过几十微米,宽度约为100-500nm。根据SEM提供的证据,我们认为ZnS纳米带的生长模式可以用VLS机制来解释。另外,我们用两步气相沉积的方法制备出非晶C包裹ZnS的电缆状的核壳结构。