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本论文对适用于深亚微米CMOS器件的镍自对准硅化物工艺进行了深入的研究。随着器件尺寸的进一步缩减，与传统的Ti、Co自对准硅化物相比，Ni自对准硅化物更能适用于CMOS器件对硅化物的要求。文中详细的阐述了采用Ni／Si和TiN／Ni／Si结构通过RTA在硅单晶<100>衬底上制备NiSi薄膜的方法。文中对Ni／Si和TiN／Ni／Si的热反应特性以及NiSi薄膜的形成规律进行了详细的研究。制备了优质的Ni硅化物浅结二极管。分析了Ni-Salicide浅结反向漏电流产生的机理，研究了不同的工艺条件对浅结反向漏电流的影响。在优化工艺的条件下，获得的镍自对准硅化物浅结的(对于结深为110nm的N~+P结)反向漏电流密度可以达到4.5E-8A/cm~2(V=5v)。实验结果表明，本工艺完全适用于超深亚微米CMOS器件甚至纳米器件对硅化物的要求。