电荷耦合器件(CCD-Charge Coupled Device)是一种新型的成像器件,由于它具有许多优于其它成像器件的特点,其应用领域已被不断扩展,其光谱响应范围也不断扩大,近年来已拓展到X射线部分.与此同时,人们对CCD理论的研究也愈加深入,相继提出了各种不同的理论模型.本文即在分析这些模型的基础上,对V.I.khainovskii和V.V.Uzdovskii所提出的三沟道BCCD模型(包括一个面n沟,一个体p沟及一个体n沟)在可见光区及X光区的光电特性进行了数值模拟(光敏材料选为硅).结果显示:在可见光区对三条沟道而言,其光敏特性的最大值分别出现在2.48ev、1.85ev及1.49ev处.而在X光区,该模型失效,经调试参数发现,其原因在于硅的吸收系数不合适.本文给出了一种新材料的吸收系数,并利用其得到三条沟道在X光区的光敏特性的最大值位置-1.8kev、1.2kev及0.6kev.