碲化镉薄膜太阳电池背场缓冲层及电池制备研究

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【摘要】

：

碲化镉(CdTe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。它是直接带隙半导体,禁带宽度为1.45 eV,对太阳光谱的响应处于最理想的太阳光谱波段,且CdTe在可见光范围内的吸收系数高达105 cm-1,比Si的吸收系数高100倍,只需1 μm厚的薄膜即可吸收99%能量大于其禁带宽度的光子。因此CdTe是一种特别适合作为太阳电池吸收层的材料。CdTe/CdS多晶薄膜太阳电池有转换效率高、所需材料成本低

【作者】

：

肖迪

【机构】

：

中国科学技术大学

【发表日期】

：

2017年05期

【关键词】

：

碲化镉薄膜异质节太阳电池背接触缓冲层背场氧化镍碘化亚铜

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