论文部分内容阅读
碲锌镉(Cd<,1-y>ZnM<,y>Te,简写为CZT)为Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料,具有闪锌矿结构,是一种重要的半导体材料。碲锌镉晶体电阻率高、原子序数大、禁带宽度大,在室温下对x射线、γ射线具有较好的能量分辨率。
本文初步摸索了CdZnTe探测器的制作工艺,重点突破欧姆接触这一难题。研制成的室温CdZnTe γ射线探测器对<57>Co放射源的辐照有明显的响应,用此探测器探测到了<57>Co122KeV谱线,能量分辨率为2.32﹪。
结果表明:
(1) 表面处理和退火是欧姆接触制备工艺中的两个关键因素。
(2) 采用辉光直流放电溅射镀膜的方法,以Au作为电极接触材料经175℃退火两个小时可以实现欧姆接触。
(3) 为了降低表面漏电流,需要对晶片进行钝化处理。