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本文研究了玻碳汞膜电极上谷胱甘肽(GSH)的电化学行为以及测定方法和用L-半胱氨酸在金电极表面制备了自组装膜修饰电极并用电化学方法灵敏的测定了铜离子和亚硒酸钠并探讨了自组装膜通过铜和亚硒酸钠的电催化作用机理。1、利用循环伏安法(CV)研究了玻碳汞膜电极上谷胱甘肽(GSH)的电化学行为和定量测定方法。在含有GSH的B.R.缓冲溶液(pH=4.0)介质中,当汞膜电极处上汞的氧化电位的正电位时,电极表面生成的汞离子与GSH作用生成电荷转移配合物并沉积在电极表面起预富集GSH的作用。当电极向负方向扫描时,CV图上出现灵敏的汞的阴极溶出峰电流且该溶出峰电流与溶液中的GSH浓度呈良好的线性关系。利用该方法测定基体成分简单的针剂中的GSH和植物提取液(枸杞)中的GSH含量并与显色光度法的测定结果比较,结果基本吻合。对电极反应机理和影响阴极溶出伏安特性的像酸度、干扰成分、扫描速率及电流函数等因素做了探讨并提出了电极反应机理。2、利用L-半胱氨酸自组装膜金电极(L-Cys,Au/SAMs),在0.2mol·L-1 HAc-NaAc缓冲液中研究了Cu2+的电化学特性。在0.7V--0.3V (vs.Ag|AgCl)电位范围内的循环伏安(CV)测定结果表明,修饰电极表面上的硫原子与Cu2+之间发生明显的自发的氧化还原作用并生成Cu+配合物,这种配位作用具有富集铜离子于电极表面的特性,并具有催化Cu→Cu2+的电化学氧化过程。对不同量比的半胱氨酸和Cu2+混合溶液的CV和UV-vis光谱测定结果表明,Cu2+与电极表面的两个硫原子作用生成电荷转移配合物。根据电化学测定和配合物的计量关系的研究,提出了修饰电极上Cu2+电化学反应机理,并利用类生物膜模型提出了外源性铜通过胞内的GSH的巯基硫原子与Cu2+的跨膜氧化还原作用生物利用铜的机理。3、利用L-半胱氨酸自组装膜修饰金电极(L-Cys,Au/SAMs),在0.05 mol-L-1H2SO4底液中研究了Na2SeO3的电化学特性。在0.00-1.30V (vs.SCE)电位范围内对微量亚硒酸钠进行循环伏安扫描,发现L-Cys,Au/SAMs修饰电极在峰电位0.99V处有灵敏的Se的氧化溶出峰。通过比较裸金电极和修饰电极在Na2SeO3溶液中的电化学特性,发现修饰电极通过巯基中的硫和亚硒酸钠的氧化还原作用生成零价硒(Se),且修饰电极对沉积在电极表面Se的氧化过程具有催化作用。根据亚硒酸钠在单分子膜上的电化学行为研究,提出了单分子膜中硫(Au-S)与Se(Ⅳ)作用生成Se的反应机理、Se电化学催化氧化机理及巯基化合物通过纳米硒的生成来生物吸收Se的类生物膜模型。