SOI （Semiconductor-On-Insulator）LDMOS （Lateral-Double-diffusion-MOSFET）具有泄漏电流低、开关速度快、易于集成、驱动电路简单等优点，在智能功率集成电路领域有广泛的运用。但是“硅极限”限制SOI LDMOS的发展。根据摩尔定律，芯片的集成密度不断提高，功率密度也随之增加，这在功率集成电路尤为明显。人为的失误或者意外可能导致负载过载或者输出短路，导致芯片失效。为了保护芯片，电路中集成保护电路势在必行。为缓解SOI LDMOS耐压和比导通电阻的矛盾关系，本文提出一种槽型SOILDMOS功率器件，其具有两个特征：一是漂移区中有介质槽，二是采用延伸到埋层的槽栅。介质槽有以下两个作用：介质槽中的SiO₂的低介电系数使其电场高于Si中的电场，提高器件耐压；折叠漂移区，减小器件尺寸。槽栅一方面在其侧面形成积累层而减小导通电阻，另一方面实现高低压器件之间的隔离。文中研究了漂移区长度为3μm槽型SOI LDMOS的比导通电阻R_on.sp（specific on-resistance）、耐压BV（breakdown voltage）和动态特性。相同元胞尺寸下，槽型SOI LDMOS与SOI C-LDMOS （Conventional-LDMOS）相比，BV提高156%，R_on.sp降低35%；在相同的击穿电压下，槽型SOI LDMOS元胞尺寸减少54%，R_on.sp减少74%。本文设计了一种过温保护电路和过流保护电路。利用工作在亚阈值区的MOS的VGS的正温度及阈值电压的负温度系数特性来设计过温保护电路。过流保护电路具有高电源抑制比、大迟滞范围和低功耗的特点。该过温保护电路无需三极管，适用于P阱CMOS （Complementary MOS）工艺。过温保护电路电源抑制比为90dB、上升沿的阈值温度为150℃、下降沿的阈值温度为110℃，有效防止热振荡。本文设计的过流保护电路采用以源端为输入端的单管MOS作为比较器，具有电路简单、采样误差小、适用于低边功率器件的特性。过流保护电路的并联采样管对输出电流进行采样，将采样电流转化为电压信号，其过流阈值电压只有0.1V⁰.3V，所以电流采样误差小。过流保护电路在输出电流为额定电流的150%时采取过流保护。本文提出一个适合于槽型SOI LDMOS并与常规CMOS兼容的工艺流程。设计了功率集成电路的版图，并进行流片、测试。流片的槽型SOI LDMOS采用3×3微米的介质槽。槽型SOI LDMOS的测试单管耐压为170¹90V、阈值电压为3V，在栅压为10V时输出电流为22mA。本文还分析了测试中发现的问题、提出解决方案，并改进版图，第二次流片即将完成。