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3.37eV的宽带隙和60meV的激子结合能并且伴随着高的吸收系数使得ZnO成为制作光电子器件有吸引力的材料,比如蓝的和紫外发射器、紫外探测器、非线性光器件、催化、透明导电氧化物、光电子、磁器件、太阳能电池、压电转换器和传感器。射频磁控溅射在工业上被广泛地用于沉积不同的半导体和金属薄膜。这个沉积技术是相对廉价的。此外,在所有沉积ZnO薄膜的方法中,磁控溅射具有这几个优势:(i)低的基片温度;(ii)好的薄膜粘附性;(iii)均匀厚度和高密度的薄膜;(iv)在反应气体混合物中溅射金属靶沉积。因