基于实际应用的需要,本论文主要研究了如何在坡莫合金薄膜尽可能薄的情况下,提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻(AMR)及磁性能的方法,从而提高坡莫合金薄膜的应用价值。实验过程中,利用磁控溅射系统制备了一系列的Ta(4nm)/NiO(t)/Ni81Fe19(20nm)/NiO(t)/Ta(3nm)和(Ni81Fe19)1-xNbx(y)/NiO(t)/Ni81Fe19(20nm)/NiO(t)/Nb(3nm)薄膜,研究了 NiO氧化插层的厚度、(Ni81Fe19)1-xNbx(y)缓冲层中Nb原子的含量、缓冲层的种类及厚度、基片温度等工艺条件对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻及微结构的影响。然后利用非直线型四探针法测量了薄膜样品的各向异性磁电阻值,用原子力显微镜(AFM)分析样品的表面形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析样品的微结构,用FD-SMOKE-A表面磁光克尔效应实验系统测量了不同基片温度下制备的薄膜的磁滞回线。根据实验测试结果综合分析,得到以下结论:　　(1)NiO插层的厚度对坡莫合金薄膜的AMR值有较大的影响。对于Ta(4nm)/NiO(t)/Ni81Fe19(20nm)/NiO(t)/Ta(3nm)系列薄膜,随着NiO插层厚度t的增加,薄膜样品的AMR值在0nm