高压大功率绝缘栅双极型晶体管器件(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)作为复合全控型电压驱动式功率半导体器件,它可以灵活地实现电能的有效转换、控制和传输,是柔性直流输电系统中换流阀和直流断路器不可或缺的核心部件,未来的必然发展趋势是高功率密度和高可靠性。精确测量IGBT器件结温对于器件状态监测和性能评估非常重要,而且对于其长期运行可靠性和寿命的准确评估至关重要。经过几十年的发展,国内外学术界和工业界在结温测量方面做了大量的研究工作,提出了多种测量方法,其中小电流下饱和压降法在各方面综合对比最佳,且使用最为广泛。但是该方法存在两个误差来源,影响结温测量精度,尤其是应用于高压大功率IGBT器件。其一是温度校准关系的准确性和等效性问题,其二则是延迟时间导致的初始结温的确定问题。本文针对小电流下饱和压降法应用于高压大功率IGBT器件结温测量存在的测量误差问题,开展准确测量方法研究,提高结温测量精度,为可靠性研究和寿命预测模型奠定基础。对于温度校准关系的准确性和等效性,提出了一种基于电磁加热的均匀加热方法,通过有限元仿真设计了适用于焊接式IGBT模块和压接型IGBT器件的均匀加热板,并搭建了温度校准关系实验平台进行了验证;针对初始结温的确定问题,实验深入研究了延迟时间的影响因素,为结温测量过程中选择合适延迟时间提供参考,采用t方法对初始温度进行反演计算,分析了不同封装形式下不同因素对反演计算精度的影响,最后发现压接型IGBT器件测量误差相对较小,得益于其双面散热优异的热特性。