为了探讨外源硫化氢(H2S)对黄瓜耐冷性的调控机理,以‘津优3号’黄瓜为试材,采用叶面喷施硫氢化钠(NaHS, H2S供体)和NaHS浸种两种方法进行处理,以去离子水处理为对照(CK),研究内源H2S对低温胁迫的响应,以及H2S对低温下黄瓜叶片光合作用、抗氧化系统及产量的影响。主要研究结果如下：1.低温下黄瓜幼苗叶片内源H2S与L-/D-半胱氨酸脱巯基酶(CDes)活性先升高,4 h后降低,叶面喷施1.0mmol·L-1NaHS或用1.0 mmol·L-1 NaHS浸种,黄瓜幼苗叶片的H2S含量和CDes活性显著升高；而H2S合成抑制剂羧甲基羟胺半盐酸盐(AOA)或清除剂次牛磺酸(HT)处理的H2S含量和CDes活性与CK差异不显著,说明低温可诱导CDes催化合成H2S,外源NaHS可增强CDes活性,促进H2S合成。2.低温下黄瓜幼苗叶片的电解质渗漏率(EL)和冷害指数明显增大,NaHS可使黄瓜幼苗的EL和冷害指数的增加幅度明显减小,而AOA和HT处理的与CK差异不显著,说明H2S可以缓解低温胁迫对膜的伤害,提高黄瓜幼苗耐冷性。3.低温下黄瓜幼苗叶片的光合速率(Pn)、气孔导度(Gs)、蒸腾速率(Tr)、核酮糖-1,5-二磷酸羧化酶(RuBPCase)、果糖-1,6-二磷酸酯酶(FBPase)、转酮醇酶(TK)活性,以及暗下光系统II最大光化学效率(Fv/Fm)、光下实际光化学效率(ΦPSⅡ)、电子传递效率(ETR)和光化学猝灭(qP)逐渐降低,胞间CO2浓度(Ci)、初始荧光(Fo)和非光化学猝灭(NPQ)趋于升高。与CK相比,NaHS处理黄瓜幼苗叶片的Pn、Gs、Tr和RuBPCase、FBPase、TK活性,以及Fv/Fm、OPSⅡ、ETR口qP均显著升高,Ci、Fo和NPQ明显降低；而叶面喷施AOA和HT处理的与CK差异不显著。可见,H2S会减轻低温对黄瓜幼苗光合机构的破坏,维持较高的碳同化能力。4.低温胁迫可使黄瓜幼苗叶片的MDA含量增加,超氧化物歧化酶(SOD)、过氧化氢酶(CAT)、抗坏血酸过氧化物酶(APX)和谷胱甘肽还原酶(GR)活性以及还原型谷胱甘肽(GSH)和抗坏血酸(AsA)含量先升高,后降低,过氧化物酶(POD)趋于升高。叶面喷施NaHS或NaHS浸种处理的MDA含量显著低于CK,而SOD、POD、 CAT、APX和GR活性及GSH和AsA含量明显高于CK；叶面喷施AOA和HT的处理MDA含量、抗氧化酶活性及GSH和AsA含量多与CK差异不显著。5.在冬季日光温室生产中,叶面喷施1.0mmol · L-1NaHS可减轻寒流对黄瓜生长发育和光合作用的影响,提高抗氧化系统活性,产量比CK提高15.3%。