自MacDiarmid,Heeger和Shirakawa发现聚乙炔在掺杂的情况下具有高导电性以来,有机导电高分子材料由于其在轻质、光学、超导等方面的独特性能及在分子器件和复合材料等领域的潜在应用前景,一直受到材料学家、化学家和物理学家的广泛重视,成为当前材料学领域的前沿课题。目前关于π共轭导电高分子的理论研究已经有了很多,关于σ-π共轭体系导电高分子的导电机理研究却很少,而对于掺杂聚硅烷及其衍生物的理论工作更是少见报道。因此有必要对σ-π共轭导电高分子这方面进行理论研究,希望本文能对新型含有硅元素的功能材料的分子设计有着一定的指导作用。本文是在密度泛函理论（DFT）框架下,对有机硅的三种聚合物分子nSi_x^L（C=C）_y,nSi_x^R（C=C）_y和R-nSi_x（C=C）_y进行几何优化和电子结构计算。通过研究发现,π共轭片段对分子几何结构和电子结构起着非常重要的作用。随着π共轭片段的增长,带隙会减小,而空穴注入速率和空穴传输速率会增大。在σ-π共轭高分子中,当π共轭片段很小时,在Si片段和乙烯片段间存在很好的有效的σ-π共轭效应。另外还发现,随着Si原子数目x的变化,带隙存在着奇偶效应。掺杂后的有机硅的三种聚合物分子的激发能能明显的降低。链间的空穴主要发现在π共轭单元。掺杂后的nSi_x^L（C=C）_y⁺,nSi_x^R（C=C）_y⁺和R-nSi_x（C=C）_y⁺（x≥2）能发生从重排前到重排后的结构构型的转变,其中nSi₄^R（C=C）_y⁺除外。相对于未重排的构型来说,重排结构的紫外吸收峰,可见光吸收峰的位置处于较高的能量区域。如果掺杂后的分子由未重排结构向重排结构转变,则其空穴传输速率能发生显著的降低。所有这些结果都与实验观察到的现象有着很好的吻合。