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我们系统介绍了稀磁半导体薄膜制备和表征方法,以及其磁输运理论。对于使用分子束外延(Molecular beam epitaxy, MBE)技术制备的Fe掺杂Si薄膜—Fe0.04Si0.96,我们用综合物理性质测量系统(PPMS)测量了其300K到15K的霍尔电阻和纵向电阻。从300K到30K我们观察到正常霍尔效应和常规正磁阻特性,但在低温区(30K-15K),我们观察到奇异的输运现象：纵向电阻随磁场迅速增大并达到饱和；霍尔电阻随磁场先增大后非线性下降,同时该行为对温度变化敏感。我们采用双载流子导电