碳化硅（SIC）陶瓷具有高强度、高耐磨蚀性、高脆性和低断裂韧性的特点。要想获得高表面质量、低表面及亚表面损伤的表面，加工过程需要在延性域下进行；摩擦化学研抛（Tribochemical Polishing，TCP）是一种针对陶瓷等难加工材料实现表面光滑无损伤加工的新方法，通过研磨液的化学溶解作用及研具与工件表面接触处的摩擦化学效应使微峰接触处优先溶解，从而最终得到无缺陷且低残余应力的极光滑表面。因此这两方面的研究对SIC表面的高效超精密加工具有重要的意义。首先，本文通过纳米压痕实验得到了碳化硅材料的载荷-压深曲线，弹性模量和硬度等力学性能参数，还通过显微硬度实验得到了材料的断裂韧性，为准确描述碳化硅刻划加工仿真的弹塑性材料模型奠定了基础。然后，建立了单颗磨粒刻划过程的有限元模型，研究切屑的形成机理，以及切削力和法向力随着切削深度和切削速度改变的变化规律，仿真分析方面的研究对确定SIC延性域加工的工艺参数具有重要的指导意义。其次，进行碳化硅陶瓷材料的摩擦化学性能实验研究。（1）在本人自行设计的往复式摩擦磨损试验机上，以提高表面质量和材料去除率为目标，优化了TCP工艺参数，最终在压力为2N，速度为0.02m/s的条件下同时得到了较高的材料去除率及较好的表面质量。（2）分别针对四种水基研磨液，选用优化的工艺参数进行碳化硅TCP模拟实验，比较研究了研磨液的成分对材料去除率及表面质量的影响规律，实验结果表明在质量分数为20%NaOH溶液下可得到较高的材料去除率和较好的表面质量，能够实现碳化硅的全局平坦化加工。（3）对碳化硅材料摩擦化学去除机理进行分析研究，建立了摩擦化学去除模型和材料去除率模型，并分析了压力和速度对碳化硅材料去除率的影响规律，分析结果表明压力增加时机械作用增强，而速度增加时化学作用增强。