磁控溅射法制备SiCN薄膜及退火处理对其性能影响研究

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【摘要】

：

SiCN(硅碳氮)作为C、Si与N三种元素构成的新型宽禁带半导体,集合SiC(氮化硅)、C3N4(氮化碳)和Si3N4(碳化硅)的良好光学、电学、力学特性于一体。硅基底生长的SiCN材料成本低廉,且与目前的集成电路工艺技术兼容。不同组分和结构的SiCN材料带隙在2.86到5.0eV之间连续可调,有利于其在光电器件领域(如发光器件、半导体激光器等)方面的应用。采用磁控溅射法,以氮化硅(Si3N4)靶

【作者】

：

李一鸣

【机构】

：

西北大学

【发表日期】

：

2018年06期

【关键词】

：

SiCN薄膜退火工艺磁控溅射光学性能

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