锑化物Ⅱ类超晶格（T2SL）是极具潜力的第三代红外探测器材料,对其组分进行微调,就可以实现2～30μm波段的红外探测。中红外探测器在远程导弹、红外侦察、夜视成像等军事领域具有及其重要的应用,同时也被越来越多地应用在工业、农业、医疗、安防监控等领域。为了实现高性能红外探测器,简化探测器制冷系统,本论文开展了对锑化物Ⅱ类超晶格中红外高温探测器的研究。首先研究了制备流程中刻蚀方式和钝化材料对暗电流的抑制作用;进一步研究了探测器外延层结构对器件性能的影响,设计并制备了PpMN、p Bn型结构探测器,提高了探测器的性能。论文主要研究成果如下:（1）研究了刻蚀方式和钝化材料对探测器性能的影响。研究了干法刻蚀、湿法腐蚀对探测器暗电流的影响,湿法腐蚀器件的暗电流水平更低,两者的光学性能无太大差异。说明刻蚀方式会影响表面漏电流,但不会影响光学性能。研究表明光刻胶AZ6130对器件具有钝化作用,这提供了一种钝化的新方法。比较了Al2O3、AZ6130光刻胶、Si3N4、Si O2这四种材料对探测器暗电流的抑制效果。结果表明Si O2的钝化效果最好,Si3N4的钝化效果次之,接下来是AZ6130,钝化效果最差的是Al2O3。（2）设计并制备了InAs/GaSb超晶格PpMN型结构单元探测器。在77 K时,测得器件暗电密度为1.46×10-4 A/cm~2。在峰值波长4.2μm处响应度达到了0.48 A/W,量子效率达到20%,探测率值5.77×1010 cm·Hz1/2/W。该结构探测器能够有效抑制器件暗电流,提高了光学性能。（3）设计并制备了InAs/InAsSb超晶格pBn型单元探测器。为了降低探测器光学性能的偏压依赖性,创新性地设计了Al As0.45Sb0.55/InAs0.45Sb0.55超晶格势垒结构。测得器件在-100 m V的偏压下光响应饱和,与n Bn结构探测器相比,大大降低了探测器光学的偏压依赖性。在150 K时,探测器的暗电流密度为1.2×10-4 A/cm~2,2μm厚的吸收层可以实现量子效率29%,探测率达到了1.2×1011 cm·Hz1/2/W,该结构相对传统探测器,其光学性能有显著提升。