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有机光电探测器(OPD,Organic photodetector)作为一类重要的光电器件,由于它具有优秀的机械灵活性,生产成本较低,材料选择多样广泛等优势已经吸引了很多研究学者的关注和研究,其中研究较多的有对OPD的电荷传输特性、界面调控对器件性能的提高。为了提高OPD的性能,除了要选择好高吸收率、高载流子迁移率的给受体材料,还需要保证载流子在传输中具有低的能量势垒。当给受体材料界面出现能带弯曲,形成了界面偶极子时,对有机材料之间的能量势垒也有很大影响。OPD器件关注暗电流、光暗电流比等参数,OPD器件的暗电流越小越好,光暗电流比越大越好。为了减小OPD器件的暗电流,可以通过摻杂的方法来提高器件中薄膜的电阻率,从而减少器件的暗电流,提高器件的光暗电流比。本论文的主要内容包括两大部分,具体如下:第一部分研究了掺杂调控ZnO纳米棒/PVK界面提高紫外光电探测器的性能。通过在ZnO中摻杂不同浓度的Al制备成AZO薄膜,运用XRD、PL等表征手段对不同Al浓度的AZO薄膜进行表征,得出增加Al的浓度使薄膜的结晶质量变差,使薄膜的电阻增加。然后制备出了有机无机复合的ZnO/PVK基紫外探测器,其中ZnO纳米颗粒采用溶胶-凝胶法制备,ZnO纳米棒阵列采用水热法制备。把不同Al浓度的AZO薄膜应用于ZnO/PVK基紫外探测器中,减少了器件的暗电流,从而提高器件的光暗电流比,提高器件的性能,并通过测试器件的吸收光谱、J-V曲线、EQE光谱研究其对器件性能的改善。当摻杂Al浓度为10at%时,在-5V偏压下和365nm、2mW/cm2的紫外光光照下ZnO/PVK基紫外探测器的光暗电流比达到了103量级,器件的暗电流密度达到了17.2μA/cm2,响应度达到了9.25A/W。第二部分研究了多层DCJTB/C60界面对有机近红外探测器性能的影响。利用真空蒸镀的方法制备器件,通过改变DCJTB/C60的层数来优化探测器的性能,器件在拥有3层DCJTB/C60薄膜时拥有较好的性能,在-1V偏压下980nm近红外激光器照射下,器件的光电流密度达到0.18A/cm2。利用UPS、XPS等表征手段研究发现在DCJTB/C60界面层发生了能带弯曲,形成了界面偶极子,并研究了多层DCJTB/C60的有机近红外探测器的工作机制。