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本文主要对InP基相关器件和工艺尤其是InP基金半接触,InP/InGaAs红外探测器,以及其中的钝化工艺做了较为深入的研究。首先系统研究了TiW/p-InP肖特基接触的电学性质,比较了在不同的退火条件下,表面形貌以及电学参数的变化。用热发射模型从I-V曲线提取了势垒高度,以及理想因子,发现它们随温度呈现线性变化的规律。这一现象可以用金属-半导体(M-S)表面接触的非均匀模型来解释。势垒高度随温度的变化符合高斯分布。然后又测量了器件的C-V特性随温度变化的特性,且比较了不同频率下从C-V特性中提取的势垒高度。对比I-V方法,此法排除了界面态的影响。然后研究了TiW/p-InP肖特基接触的C-V特性,发现了反常负电容现象,这是由界面态和串联电阻(Rs)的影响所导致的。同时计算了Rs的值并且用它对测量到的电容(C)和电导(G)的值做了修正。接下来针对ICPCVD和PECVD工艺对InP表面的钝化效果做了讨论。对不同工艺生长的SiNx作为介电层的Au/SiNx/p-InP肖特基势垒二极管的电学特性进行了研究,与PECVD工艺生长介电层的器件相比,发现ICPCVD工艺生长介电层的器件的理想因子值更小一些,势垒高度更低一些。同时比较了两种工艺条件下的界面态密度,发现ICPCVD工艺的界面态比PECVD工艺更低一些。最后研究了InGaAs/InP探测器的暗电流特性和光电流特性,首先用软件对器件的结构参数进行设计,仿真了暗电流和光电流特性,然后根据仿真结果制备了器件,同时测量了器件的特性,并对实验值和仿真值进行了比较,发现实验值和仿真值符合的很好,证明了仿真的正确性。实验结果表明该器件具有较高的响应度,并对器件的暗电流组分进行了分析。