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近年来,氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)被广泛应用于触摸屏、太阳能电池和有机发光二极管等电子产品中。然而,ITO的脆性以及其中铟的成本逐年上涨等因素,都限制了ITO的应用。目前的研究表明,金属纳米线、碳纳米管和石墨烯等材料都有望代替ITO。本文采用银纳米线与石墨烯复合的方式合成柔性透明导电膜以代替ITO。先后制备了银纳米线柔性透明导电膜、碳包覆银纳米线柔性透明导电膜以及石墨烯包覆银纳米线柔性透明导电膜,并对其微观结构、形貌以及方阻、透光率、耐腐蚀性等性能进行了表征。首先采用多元醇法制备高长径比的银纳米线,通过对主要制备工艺进行探索和优化,最终得到了平均长度达80μm、平均直径80 nm的银纳米线。以此银纳米线为基础,通过旋涂法制备了银纳米线透明导电膜,并探究了后续热处理工艺对其电学性能的影响。其次,开展了银纳米线与石墨烯复合材料研究工作。采用水热法一步制备了无定型碳包覆银纳米线(C@Ag NW)结构,通过高温退火,制备出结晶碳包覆银纳米线(G@Ag NW)结构;再通过旋涂法制备了碳包覆银纳米线柔性透明导电膜,测得其透光率为81%时(550 nm波长下),方阻为143.7Ω/sq。最后制备了石墨烯包覆银纳米线柔性透明导电膜。借助于十二烷基苯磺酸钠,制备出均匀稳定的氧化石墨烯/银纳米线混合溶液,并通过抽滤法经济快速的制备出石墨烯包覆银纳米线柔性透明导电膜。腐蚀实验测试的结果表明:石墨烯的包覆可以保护银纳米线免受水分及空气侵蚀,并与银纳米线互相起到导通桥梁的作用,达到提高电性能的目的。所得到的透明导电膜在光透率为80.1%时(550 nm波长下),方阻为15.33Ω/sq,热焊接后方阻进一步降低到10.99Ω/sq,已经接近于商用ITO,达到透明导电膜的应用要求。此方法经济快速可大规模生产,为工业生产奠定了基础。