发光波长在300nm以内的光源在食品消毒、临床诊断等方面有重要的应用。可是目前主要的这类光源主要是以氙灯、汞灯等为主，它们一般工作寿命短、稳定性比较差。MgZnO材料除了具备ZnO的高的激子结合能，环境友好，原料丰富等优势外，还具备带隙大范围可调等优点，作为发光材料时，发光波长很容易调节到300nm以内。这使其在深紫外波段的发光方面有巨大潜在应用。针对目前MgZnO深紫外发光器件的不足的存在的问题，本论文通过MOCVD技术和MBE技术制备了MgZnO发光器件，并对其发光特性做了研究，取得的成果如下：针对掺杂问题中随着禁带宽度增加而不断增长的受主激活能使有效p型掺杂越来越难等问题，本文利用等离子体激发立方相MgZnO实现了深紫外发光。首先利用金属气相化学沉积技术制备了禁带宽度5.47eV的立方相MgZnO薄膜。当把样品放置于被高频强电场电离产生并加速的等离子体氛围中时，观测到了来自样品的276nm的深紫外发光。研究表明发光源自于被高频强电场电离空气产生并加速的激发态粒子对样品的激发。