脉冲激光法制备高介电系数铁电薄膜和多层膜

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【摘要】

：

本文介绍了高介电系数铁电薄膜材料在DRAM中的应用前景和现在存在的主要问题及解决办法。利用脉冲激光法制备了两类铁电薄膜,一类是28%mol 镧掺杂钛酸铅(PLT)薄膜,主要研究了沉积气压对薄膜结构和介电性能的影响,发现PLT 薄膜的介电性能非常依赖于脉冲激光沉积时的氧气压,本论文找到了具有高介电系数和低介电损耗的PLT 薄膜制备条件。另一类是BaTiO_3(BT)和SrTiO_3(ST)交替组成的

【作者】

：

胡大治

【机构】

：

苏州大学

【发表日期】

：

2005年05期

【关键词】

：

脉冲激光沉积铁电薄膜气压界面介电增强

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