【摘 要】
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当电子集成电路在信息处理速度方面达到极限时,光学集成电路有望代替电子集成电路解决信息高速传输和处理的问题。在波长或亚波长尺度的纳米激光器由于功耗低、调制速度快等特点成为了实现光学集成电路的关键器件之一。本文利用金刚石对顶砧加压与微纳光学表征技术,系统研究了高压下ZnO纳米线微腔的光致发光光谱和光学显微图像,主要做了以下工作:（1）利用化学气相沉积法（CVD）制备出单晶ZnO纳米线微腔。通过调控石英
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当电子集成电路在信息处理速度方面达到极限时,光学集成电路有望代替电子集成电路解决信息高速传输和处理的问题。在波长或亚波长尺度的纳米激光器由于功耗低、调制速度快等特点成为了实现光学集成电路的关键器件之一。本文利用金刚石对顶砧加压与微纳光学表征技术,系统研究了高压下ZnO纳米线微腔的光致发光光谱和光学显微图像,主要做了以下工作:（1）利用化学气相沉积法（CVD）制备出单晶ZnO纳米线微腔。通过调控石英管管式炉的温度、压力和载气流量等参数,成功地制备出了形貌均一、边缘锐利的高质量单晶ZnO纳米线。（2）开发和完善了基于金刚石对顶砧的高压微纳光学技术,实现了对单个ZnO纳米线光学性质在高压条件下的测量。（3）系统研究了ZnO纳米线光激射行为的压力调控。发现伴随带隙的压致展宽出现光谱蓝移现象,光激射行为的阈值与压力呈现e指数依赖关系并具有可逆性。总之,本文利用自主搭建的高压原位微纳光谱表征设备,在高压条件下系统地研究了ZnO纳米线的光激射行为,揭示了ZnO纳米线的激射行为随压力变化的规律,对基于纳米激光器的器件制备与性质调控具有重要意义。
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