新型ZnO/AlSb异质结太阳能电池模拟研究

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【摘要】

：

ZnO是一种宽禁带的直接带隙半导体材料，禁带宽度为3.3eV，属于六方铅锌矿结构。本征的ZnO薄膜具有很高的电阻率，掺Al氧化锌(AZO)薄膜具有很低的电阻率和高的光透射率(可见光范围内透射率可达90%)，宽带隙、高电导率、高透明度、良好的热稳定性以及无毒自然储存量丰富等优点使其是很好的电池窗口层材料。AlSb做为二元化合物半导体材料，禁带宽度为1.62eV，在波长300-900nm范围内的吸收系

【作者】

：

杨顺洪

【机构】

：

西华大学

【发表日期】

：

2014年04期

【关键词】

：

ZnO AlSb 界面态异质结太阳能电池

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